EUV光源的技术基本只掌握在花旗国Cymer公司手中，星光科技公司作为一家华夏公司，基本上不可能与対方达成技术合作，因为花旗国政府，就不会同意。
EUV光刻机——顶级科学与顶级制造的结合。
EUV波长只有13.5nm，穿透物体时散射吸收强度较大，这使得光刻机的光源功率要求极高，此外机器内部需是真空环境，避免空气对EUV的吸收，透镜和反射镜系统也极致精密，配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也需要更先进技术去提升。
一台EUV光刻机重达180吨，超过10万个零件，需要40个集装箱运输，安装调试都要超过一年时间。总之，EUV光刻机几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限。
所以EUV不仅是顶级科学的研究，也是顶级精密制造的学问。
二零一零年首发EUV光刻机，目前成为全球唯一一家EUV光刻机供应商。
二零一零年，阿斯慢首次发售概念性的EUV光刻系统NXW:3100，从而开启光刻系统的新时代。
二零一三年，阿斯慢发售第二代EUV系统NXE:3300B，但是精度与效率不具备10纳米以下制程的生产效益。
今年又推出了第三代EUV系统NXE:3350，但仍然只是试产的性质。
历史上，阿斯慢公司要到明年，也就是二零一六年，第一批面向制造的EUV系统NXE:3400B，才会开始批量发售，
NXE:3400B的光学与机电系统的技术有所突破，极紫外光源的波长缩短至13nm，每小时处理晶圆125片，或每天可1500片。
连续4周的平均生产良率可达80%，兼具高生产率与高精度。
三年后推出的NXE:3400C，更是将产能提高到每小时处理晶圆175片。
目前，阿斯慢在售的EUV光刻机包括NXE:3300B和NXE:3400C两种机型。
EUV成功来源于阿斯慢光刻机上游产业链的贯通。
在EUV光刻机超过10万个零件之中，来自硅谷光科集团的微激光系统、德国蔡司的镜头和Cymer的EUV光源是最重要的三环。
一九九七年英特尔牵头创办了EUVLLC联盟，随后阿斯慢作为惟一的光刻设备生产商加入联盟，共享研究成果；二零零零年，阿斯慢收购了花旗国光刻机巨头SVGL(硅谷光刻集团)；二零一二年，阿斯慢收购EUV光源提供商Cymer，此前Cymer就和阿斯慢已经合作已久。
二零一六年，阿斯慢公司取得光学镜片龙头，德国蔡司百分之二十四点九的股份，以加快推进更大数值孔径（NA）的EUV光学系统。
这些收购使得阿斯慢几乎参与了整个EUV光刻上游产业链。
但收购花旗国企业的过程，使阿斯慢必须同意，在花旗国建立一所工厂，和一个研发中心，以此满足所有花旗国本土的产能需求。
另外，还需要保证百分之五十五的零部件，均从美国供应商处采购，并接受定期审查，这也为日后阿斯慢，向华夏国出口光刻机受到花旗国管制埋下了伏笔。
EUV设备在下游市场供不应求。由于上游零部件供应不足（如蔡司的镜头），阿斯慢的EUV光刻机产量一直不高，而下游市场对7nm制程的需求却十分旺盛。2011年英特尔、三星和台急电共同收购阿斯慢23%的股权，帮助阿斯慢提升研发预算，同时也享受EUV光刻机的优先供应权。
近年来，阿斯慢已经出货的EUV光刻机主要优先供应给台积电、三星、英特尔等有紧密合作关系的下游厂商。目前所有中国企业中，还没有任何一家企业，能够从阿斯慢订购到EUV光刻机。
而且此时的华夏企业，对于阿斯慢的EU∨光刻机，似乎并没有很迫切的需求，毕竟阿斯慢公司的浸润式DUV光刻机，并没有停止出口华夏市场，而且星光科技集团也能生产DUV浸润式的光刻机，完全可以满足国内的需求。
至于10纳米以下的制程工艺，华夏国内的市场需求银少，所以更高端的极深紫外线EUV光刻机，华夏国内的市场需求并不迫切。
可是全球智能化科技，是在飞速发展的，随着科技的发展，人民对于芯片的要求会越来越高，几年之后，全球会向5G，甚至6G技术发展，那个时候要用到的智能芯片，必须要用5纳米以下的制程技术，甚至是1纳米的制程技术。
那个时候，再怎么研究推进，浸润式DUV光刻机，也不可能达到5纳米以下的制程技术。
研发投深紫外线暴光技术的EUV光刻机，便是最终无法绕开的办法。
可是华夏的光刻机研发生产企业，除了一个星光科技集团，就只有沪上的微电子集团了。
可微电子集团的光刻机技术，比星光科技集团尚且差了不少的距离，更别说和国外的几大光刻机企业相比了，微电子集团的光刻机技术，现在还停留在90纳米的制程工艺上。
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